介绍一下关于IC制造业

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Integrated Circuit IC集成电路
  集成电路是一九五八年由美国的德卅仪器公司所发明的。它是将一个完整的电子电路处理在一块小小的硅芯片上,然后再以金属联机与外在引线相接,外加陶瓷或塑料包装的装置,由于它能将原本需要许多零件的电子电路集中缩小,因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路的三个特性:体积小、价廉、可靠。
依照其集积化的程度可区分为小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成电路

Fab*cation FAB制造
Fabcation为"装配"或"制造"之意,与Manufacture意思一样。半导体制造程序,其步骤繁多,且制程复杂,需要有非常精密的设备和细心的作业,才能达到无缺点的品质。FAB系Fabcation之缩写,指的是"工厂"之意。我们常称FAB为"晶圆区",例如:进去"FAB"之前须穿上防尘衣。
Foundry客户委托加工
客户委托加工主要是接受客户委托,生产客户自有权利的产品,也就是客户提供光罩,由联华来生产制造,在将成品出售给客户,只收取代工费用,这种纯粹代工,不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就叫硅代工(Silicon Foundry)。
常用CHAMICLE
DI WATER去离子水
IC制造过程中,常需要用酸碱溶液来蚀刻,清洗芯片。这些步骤之后, 又须利用水把芯片表面残留的酸碱清除。而且水的用量是相当大。
然而IC工业用水,并不是一般的自来水,而是自来水或地下水经过一系 列的纯化而成。原来自来水或地下水中,含有大量的细菌,金属离子及 PARTICLE,经厂务的设备将之杀菌过滤和纯化后,即可把金属离子等杂质去除,所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造之用。

H2SO4硫酸
  SUIFURIC ACID 硫酸
  目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性,浓稠,油状液体,依纯度不同,由无色至暗棕色,与水以各种不同比例互溶。甚具活性。
  溶解大部份的金属。浓硫酸具氧化,脱水,磺化大部分的有机化合物,常常引起焦黑。比重1.84,沸点315℃。 与水混合时,须格外小心,由于放热引起爆炸性的溅泼,永远是将酸加到水中,而非加水至酸中。
不小心被溅到,用大量水冲洗。
目前在线上,主要用于SO清洗及光阻去除
H3PO4磷酸
  PHOSPHORIC ACID 磷酸
  无色无味起泡液体或透明晶形固体。依温度,浓度而定。在20℃ 50及75﹪强度为易流动液体,85﹪为似糖浆,100%酸为晶体。比重1.834,熔点42.35℃。在213﹪失去Y2H2O,形成焦磷酸。
  溶于水,乙醇,腐蚀铁及合金。对皮肤,眼睛有剌激性,不小心被溅到,可用水冲洗。
  目前磷酸用于SI3N4的去除,浓度是85﹪,沸点156℃,SI3N4 与SIO2的蚀刻比约为30:1
HCL氯化氢(盐酸)
  HYDROCHLORIC ACID盐酸。
  无色或淡黄色,发烟,剌激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。市面出售之"浓或发烟酸含有氯化氢38%,比重1.19。
  氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水,酒精,苯,不可燃。用途广泛。可用于食品加工,金属之酸洗与清洁,工业酸化,一般之清洗,实验试药。
不小心被溅到,用大量水冲洗。
目前线上,主要用于RCA清洗。
HNO3硝酸
NITRIC ACID硝酸
透明,无色或微黄色,发烟,易吸湿之腐蚀性液体,能腐蚀大部份金属。其黄色是由于曝光所产生之二氧化氮,为强氧化剂,可与水混合,沸点78℃,比重1.504。
对皮肤有腐蚀性,为强氧化剂,与有机物接触有起火危险。
清洗炉管用。

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  1. 心的天空 1 楼

    长知识啦!!
    谢谢!!!

  2. 宏飞 2 楼

    呵呵

    都知道的~

  3. 咕咚 3 楼

    没有亲眼见过那个WAFER的样子吧,有机会 发几张图片给你们看看呐
    我个人觉得啦,那个东东真的很神奇的 !!

  4. 咕咚 4 楼

    GO ON
        Chamber真空室,反应室
    专指一密闭的空间,而有特殊的用途、诸如抽真空,气体反应或金属溅镀等。因此常需对此空间之种种外在或内在环境加以控制;例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等达到最佳的反应条件。
      Coating光阻覆盖
    将光阻剂以浸泡、喷雾、刷布、或滚压等方法加于芯片上,称为光阻覆盖,而效果最佳的方法还是使用旋转法。
    旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转拘芯片支持器上,适量的光阻剂加在芯片中央,然后芯片开始转动,芯片上的光阻剂向外流开,很均匀的散在芯片上。要得到均匀的光阻膜。旋转速率必须适中稳定,而旋转速度和光阻剂黏滞性决定所镀光阻剂的厚度。
    光阻剂加上后,必须经过软烤的步骤,以除去光阻剂中过多的溶剂,进而使光阻膜较为坚硬,同时增加光阻膜与芯片的接合能力,而控制软烤效果的主要方法就是在于适当调登软烤温度与时间。
    经过了以上的镀光阻膜及软烤过程,也就是完成了整个光阻覆盖的步骤。。
      Cycle Time生产周期时间
    指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须之生产/制造时间。在TI-Acer,生产周期时尚有两种解释 : 一为"芯片产出周期时间"(wafer-out time);一为"制程周期时间" (Process cycle time)
    "芯片产出周期时间"乃指单一批号之芯片由投入到产出所须之生产/制造时间。
    "制程周期时间"则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间之总和,亦即每一工站均有一平均生产/制造时间,而各工站 (从头至尾)平均生产/制造之加总即为该制程之制程周期时间。目前TI-Acer Line Report之生产周期时间乃探用"制程周期时间"。
    一般而言,生产周期时间可以下列公式概略推算之:
          生产周期时间=在制品(WIP)/ 产能(Throughout)
        CycleTime生产周期
    IC制造流程复杂,且其程序很长﹒自芯片投入至晶圆测试完成,谓之Cycle Time。
    由于IC生命周期很短,自开发、生产至销售,需要迅速旦能掌握时效。故Cycle Time愈短,竞争能力就愈高,能掌握产品上市契机,就能获取最大的利润。  
     由于Cycle Time长,不容许生产中的芯片因故报废或重做,故各项*作过程都要依照规范进行,且要做好故障排除。让产品顺利流程,早日出FAB,上市销售。
        Descume电浆预处理
    1﹒电浆预处理,系利用电浆方式(Plasma),将芯片表面之阻加以去除,但其去光阻之时间,较一般电浆光阻去除 (St*pping)为短。其目的只是在于将芯片表面之光阻因显影预烤等制程所造成之光阻毛边或细屑(Scum)加以去除,以使图形不失真,蚀刻出来之图案不会有残余。
    2﹒有关电浆,去除光阻之原理,请参阅「电浆光阻去除」( Ashing)。         3﹒通常作电浆预处理,均以较低之压力,较小之功率为之,也就是使光阻之蚀刻率降得很低﹒使得均匀度能提高,以保持完整的图形,达到电浆预处理的目的。
      DI WATER去离子水
    IC制造过程中,常需要用酸碱溶液来蚀刻,清洗芯片。这些步骤之后, 又须利用水把芯片表面残留的酸碱清除。而且水的用量是相当大。然而IC工业用水,并不是一般的自来水,而是自来水或地下水经过一系 列的纯化而成。原来自来水或地下水中,含有大量的细菌,金属离子及 PARTICLE,经厂务的设备将之杀菌过滤和纯化后,即可把金属离子等杂质去除,所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造之用。
      End Point Detector终点侦测器
    在电浆蚀刻中,利用其反应特性,特别设计用以侦测反应何时完成的一种装置。一般终点侦测器可分为下列三种:
    (1) 雷射终点侦测器(Laser Endpoint Detector):利用雷射光入射反应物(即芯片)表面,当蚀刻发生时,反应层之厚度会逐渐减少,因而反射光会有干涉讯号产生,当蚀刻完成时,所接收之讯号亦己停止变化,即可测得终点。
    (2)     激发光终点侦涕器(Optical Emission Endpoint Detector):用一光谱接收器,接收蚀刻反应中某一反应副产物(Byproduct)所激发之光谙,当蚀刻反接逐渐完成,此副产物减少,光谱也渐渐变弱,即可侦测得其终点。
    (3)     时间侦测器:直接设定反应时间,当时间终了,即结束其反应。

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